新光硅業(yè)公司承擔的年產(chǎn)1000噸多晶硅項目，是國家的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程。在省委、省政府的領(lǐng)導下，在省國資委的大力支持和幫助下，在公司董事會(huì )的直接指揮下，項目于2007年2月勝利實(shí)現了一次投料試車(chē)出合格產(chǎn)品的目標，并取得了當年投產(chǎn)當年創(chuàng )造效益的驕人成績(jì)。這標志著(zhù)我國多晶硅生產(chǎn)技術(shù)打破了國外的長(cháng)期壟斷和封鎖，推動(dòng)我國多晶硅產(chǎn)業(yè)實(shí)現了歷史性跨越。
在學(xué)習實(shí)踐科學(xué)發(fā)展觀(guān)的活動(dòng)中，公司認為，如果我們只建成千噸級多晶硅生產(chǎn)線(xiàn)，而不能在研制中國的多晶硅技術(shù)質(zhì)量標準方面有所作為，新光就不能實(shí)現持續發(fā)展、科學(xué)發(fā)展，更不能在國際市場(chǎng)與國際同行同臺競技。公司充分發(fā)揮自身的技術(shù)優(yōu)勢，主動(dòng)承擔了《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)標準方法》和《酸浸取—ICP/MS測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)標準方法》兩項涉及多晶硅的檢測標準的研制工作在10月份取得重大進(jìn)展。經(jīng)全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會(huì )材料分析技術(shù)委員會(huì )近期組織全國20家單位28名專(zhuān)家評審，一致認為：由新光公司研制的《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)標準方法》在國內屬于首次采用，有利于促進(jìn)我國半導體行業(yè)標準與國際先進(jìn)標準接軌，達到國際先進(jìn)水平；《酸浸取—ICP/MS測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)標準方法》也達到了國際一般水平。同意上報國家標準化委員會(huì )批復。
這兩項多晶硅產(chǎn)品檢測標準研制所取得的成績(jì)，填補了國內空白，展現了公司在國內同行保持領(lǐng)先技術(shù)實(shí)力，有利于擴大我公司在產(chǎn)品技術(shù)質(zhì)量標準制定中的影響力，是在開(kāi)展學(xué)習實(shí)踐科學(xué)發(fā)展觀(guān)活動(dòng)學(xué)以致用的生動(dòng)體現。公司將總結經(jīng)驗，再接再厲，不斷把學(xué)習實(shí)踐活動(dòng)引向深入，抓好結合，取得更多更好的成效。
